恭喜旺宏电子股份有限公司李冠儒获国家专利权
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龙图腾网恭喜旺宏电子股份有限公司申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114551453B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011384382.4，技术领域涉及：H10B41/30；该发明授权半导体装置是由李冠儒设计研发完成，并于2020-12-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体装置，其中包括一叠层以及多个存储器串列。叠层形成于一衬底上，叠层包括交替叠层的多个导电层及多个绝缘层。存储器串列沿着一第一方向穿过叠层，各个存储器串列包括第一导电柱及第二导电柱、一通道层以及一存储器结构。第一导电柱及一第二导电柱分别沿着第一方向延伸且彼此电性隔离。通道层沿着第一方向延伸，其中通道层设置于第一导电柱与第二导电柱之间，且通道层耦接于第一导电柱与第二导电柱。存储器结构绕该第一导电柱、第二导电柱及通道层。
本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其中，包括： 一叠层，形成于一衬底上，该叠层包括交替叠层的多个导电层及多个绝缘层；以及 多个存储器串列，沿着一第一方向穿过该叠层，各该存储器串列包括： 一第一导电柱及一第二导电柱，分别沿着该第一方向延伸且彼此电性隔离； 一通道层，沿着该第一方向延伸，其中该通道层设置于该第一导电柱与该第二导电柱之间，且该通道层耦接于该第一导电柱与该第二导电柱；以及 一存储器结构，环绕该第一导电柱、该第二导电柱及该通道层，其中，在垂直于第一方向的横截面上，该存储器结构共形于该第一导电柱、该第二导电柱及该通道层。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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