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龙图腾网恭喜深圳安培龙科技股份有限公司申请的专利一种基于外延工艺的具高电阻均匀性压力芯片及压力传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119935365B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510422503.6，技术领域涉及：G06F3/01；该发明授权一种基于外延工艺的具高电阻均匀性压力芯片及压力传感器是由陈君杰;楚国富;李嘉欣;周逸飞设计研发完成，并于2025-04-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于外延工艺的具高电阻均匀性压力芯片及压力传感器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于外延工艺的具高电阻均匀性压力芯片，涉及传感器技术领域，包括单晶硅基底层、外延沉积生长的导电层及焊盘层；通过外延生长形成高阻值单晶硅层作为导电层，并采用光刻和刻蚀工艺制备多个电阻条，抑制电阻的阻值偏差，提高电阻均匀性；多个电阻条组成两个电阻组并以双M型对称分布，搭成惠斯通电桥；其中，单组电阻组和内接焊点形成M型结构，能够增加电阻条的电阻路径长度和均匀应力分布，获得高压阻系数和高灵敏度；且双M型对称结构可有效抵消温度变化引起的电阻漂移，进而抑制共模干扰，提高传感器的温度稳定性和抗干扰能力；解决了现有压力芯片因蚀刻厚度不均与掺杂波动导致的电阻均匀性低、测量精度不足的问题。

本发明授权一种基于外延工艺的具高电阻均匀性压力芯片及压力传感器在权利要求书中公布了：1.一种基于外延工艺的具高电阻均匀性压力芯片，其特征在于， 包括组成具高电阻均匀性压力芯片的自下而上依次堆叠的基底层、导电层和焊盘层； 所述导电层上形成有多条电阻条，多条所述电阻条分为两组电阻组； 所述焊盘层设有多个内接焊点和多个外接焊点，所述内接焊点用于与同一所述电阻组的两所述电阻条之间的连接；多个所述外接焊点分布于两组所述电阻组之间，所述外接焊点用于与所述电阻组的首、尾位置的所述电阻条连接； 单组所述电阻组和所述内接焊点形成M型结构，通过形成所述M型结构增加所述电阻条的电阻路径长度、在所述电阻组内成对称分布的所述电阻条均匀应力分布，用于提高所述具高电阻均匀性压力芯片将机械应力转化为电阻变化的转化率，获得高压阻系数，提升所述具高电阻均匀性压力芯片的灵敏度； 两组所述电阻组、所述内接焊点和所述外接焊点形成双M型结构，并搭成惠斯通电桥； 所述双M型结构中的两组所述电阻组的结构位置设置为对称分布，所述双M型结构通过对称分布的结构位置用于抵消温度变化引起的电阻漂移、抑制共模干扰； 两组所述电阻组分布于所述导电层的中间部分的左右两侧；其中，左侧的所述电阻组包括第一电阻条至第五电阻条，右侧的所述电阻组包括第六电阻条至第十电阻条；所述外接焊点设置有三个，所述第一电阻条和第六电阻条的一端与同一所述外接焊点连接，所述第五电阻条和第十电阻条的一端分别与其中一个所述外接焊点单独连接； 所述内接焊点包括第一内接焊点至第六内接焊点；其中，所述第一内接焊点至第三内接焊点位于左侧的所述电阻组内，第一内接焊点与所述第一电阻条的另一端、第二电阻条的一端连接，第二内接焊点与所述第二电阻条的另一端、第三电阻条的一端和第四电阻条的一端连接，第三内接焊点与所述第四电阻条的另一端、第五电阻条的另一端连接；第四内接焊点至第六内接焊点位于右侧的所述电阻组内，第四内接焊点与所述第六电阻条的另一端、第七电阻条的一端连接，第五内接焊点与所述第七电阻条的另一端、第八电阻条的一端和第九电阻条的一端连接，第六内接焊点与所述第九电阻条的另一端、所述第十电阻条的另一端连接；所述第三电阻条仅与第二内接焊点形成结构连接用于固定和防止所述具高电阻均匀性压力芯片开裂，所述第八电阻条仅与第五内接焊点形成结构连接用于固定和防止所述具高电阻均匀性压力芯片开裂； 在所述导电层的平面上，所述第一电阻条和所述第六电阻条、所述第二电阻条和所述第七电阻条、所述第三电阻条和所述第八电阻条、所述第四电阻条和所述第九电阻条、所述第五电阻条和所述第十电阻条两两之间均横向排布且对称设置。

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