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龙图腾网获悉西安维国电子科技有限公司申请的专利一种有界波电磁脉冲模拟装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120165669B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510645422.2，技术领域涉及：H03K5/01；该发明授权一种有界波电磁脉冲模拟装置是由陈维青;李士刚;张文静;张奇;彭骞;左澳生;张鼎泽;余友友设计研发完成，并于2025-05-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种有界波电磁脉冲模拟装置在说明书摘要公布了：本申请属于电力电子技术领域，具体揭示了一种有界波电磁脉冲模拟装置，所述装置包括脉冲功率源、过流过压保护模块和脉冲波形整形模块，其中，所述脉冲功率源用于生成高压脉冲信号；所述过流过压保护模块用于实时监测所述高压脉冲信号的电流和电压；所述脉冲波形整形模块用于对所述高压脉冲信号进行整形并输出有界波。本申请能够实现高压脉冲的精准生成与严格约束，生成适用于复杂电磁环境的有界波。

本发明授权一种有界波电磁脉冲模拟装置在权利要求书中公布了：1.一种有界波电磁脉冲模拟装置，其特征在于，所述装置包括：脉冲功率源、过流过压保护模块和脉冲波形整形模块，其中， 所述脉冲功率源用于生成高压脉冲信号； 所述过流过压保护模块用于实时监测所述高压脉冲信号的电流和电压； 所述脉冲波形整形模块用于对所述高压脉冲信号进行整形并输出有界波； 所述脉冲功率源包括： 四级Marx单元，每级Marx单元的结构相同，第一级Marx单元包括： 第一电容、第二电容、第一电阻、第二电阻、第一光控SiCMOSFET开关、第一运算放大器、第一充电二极管、第一电感、第一谐振电容、第一数字隔离器、第一与门和第一驱动MOSFET；其中， 所述第一光控SiCMOSFET开关的栅极通过所述第一数字隔离器连接FPGA1的第一脉冲宽度调整引脚，所述第一光控SiCMOSFET开关的源极连接第一接地端，所述第一光控SiCMOSFET开关的漏极连接所述第二光控SiCMOSFET开关的源极； 所述过流过压保护模块包括： 电压检测单元、电流检测单元、过流和过压比较单元、锁存与复位单元和输出控制单元，其中， 所述电压检测单元用于实时检测高压脉冲信号的电压幅值； 所述电流检测单元用于实时检测高压脉冲信号的电流瞬时值； 所述过流和过压比较单元用于将高压脉冲信号与预设参考值进行比对，并输出过压或过流逻辑触发信号； 所述锁存与复位单元用于对过流或过压信号进行硬件级锁定； 所述输出控制单元用于基于所述锁存与复位单元发出的保护信号转换为物理动作，以强制关断主电路或切换至旁路路径； 所述脉冲波形整形模块包括： 输入匹配网络、可调RC整形单元、动态限幅单元和输出驱动与隔离单元，其中， 所述输入匹配网络用于对高压脉冲信号进行阻抗匹配，并隔离前级电路干扰； 所述可调RC整形单元用于优化阻抗匹配后的高压脉冲信号的波形边沿特性； 所述动态限幅单元用于对优化后的高压脉冲信号的脉冲幅值进行动态调整； 所述输出驱动与隔离单元用于对脉冲幅值动态调整后的高压脉冲信号进行隔离与驱动增强，并输出有界波。

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