合肥晶合集成电路股份有限公司王棒获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利接触孔形成方法及图像传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120091639B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510587897.0，技术领域涉及：H10F39/00；该发明授权接触孔形成方法及图像传感器是由王棒;王厚有;周成;孟德强;潘昕晨设计研发完成，并于2025-05-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本接触孔形成方法及图像传感器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种接触孔形成方法及图像传感器，其方法为：预先完成图像传感器的逻辑区和像素区的器件结构，其中像素区的器件结构比逻辑区多一层减薄的保护层；在像素区的保护层上形成减薄的牺牲阻挡层，其厚度与保护层减薄的厚度相同，材料不同；形成补偿层，其材料与厚度均与保护层相同；在逻辑区的补偿层上通过负光刻胶层形成掩膜去除像素区的补偿层，并进一步去除像素区和逻辑区交接区的剩余补偿层、负光刻胶层以及牺牲阻挡层；形成接触孔刻蚀停止层；填充层间介电层；在层间介质层上形成接触孔的掩膜图案，进行接触孔的刻蚀，并对所有接触孔进行填充。本发明可消除逻辑区和像素区的高度差，避免衬底的过度蚀刻，且有利于维持电性稳定。
本发明授权接触孔形成方法及图像传感器在权利要求书中公布了：1.一种接触孔形成方法，其特征在于，包括以下步骤： 预先完成图像传感器的逻辑区和像素区的器件结构，其中像素区的器件结构比逻辑区多一层减薄的保护层； 在像素区的保护层上形成减薄的牺牲阻挡层，其厚度与保护层减薄的厚度相同，材料与保护层不同； 在逻辑区和像素区上均形成补偿层，其材料与厚度均与保护层相同； 在逻辑区的补偿层上形成负光刻胶层，以该负光刻胶层为掩膜去除像素区的补偿层，并进一步去除像素区和逻辑区交接区的剩余补偿层，最后去除负光刻胶层； 去除像素区的牺牲阻挡层； 在逻辑区的补偿层和像素区的保护层上均形成接触孔刻蚀停止层； 在接触孔刻蚀停止层上填充层间介电层； 在层间介质层上形成接触孔的掩膜图案，进行接触孔的刻蚀，并对所有接触孔进行填充。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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