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申请/专利权人：无锡中彩科技有限公司
申请日：2013-04-08
公开（公告）日：2013-09-04
公开（公告）号：CN203173826U
专利技术分类：....使用卤化硅或卤化硅烷的分解，或其以氢作为惟一的还原剂的还原[2006.01]
专利摘要：本实用新型涉及一种冷壁流化床，属于多晶硅制备技术领域。其包括流化床，流化床下端设置有一个气体混合器，所述气体混合器于出料管道连接，出料管道上依次设置有第二原料进气口和第一原料进气口；其中第一原料进气口的下端还设置有一个出口阀门，出口阀门的下方为出口。本实用新型以此冷壁流化床为基础，制备高纯度颗粒状太阳能级多晶硅，其生产过程简单方便，适于工业化生产。
专利权项：一种冷壁流化床，包括流化床（9），流化床（9）下端设置有一个气体混合器（3），所述气体混合器（3）于出料管道连接，出料管道上依次设置有第二原料进气口（2）和第一原料进气口（1）；其中第一原料进气口（1）的下端还设置有一个出口阀门（18），出口阀门（18）的下方为出口（19）；所述流化床（9）上端设置有加料管（13）和旋风分离器（11）；旋风分离器（11）上端为尾气出口（12）；其特征是：所述流化床（9）于气体混合器（3）之间还设置有一流化床分布板（17），流化床分布板（17）通过两个电极（16）与内置加热器（8）相连接；所述内置加热器（8）位于流化床（9）内部；所述流化床（9）的外壁（7）上还包覆有冷却夹套（14）。
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