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申请/专利权人：北京石墨烯研究院;北京大学
申请日：2021-07-22
公开（公告）日：2021-12-14
公开（公告）号：CN215161040U
专利技术分类：....化学气相沉积[2017.01]
专利摘要：本公开提供了一种石墨烯冷壁生长装置，涉及石墨烯技术领域。该石墨烯冷壁生长装置包括：反应腔室，所述反应腔室设置有两个通孔；支架，所述支架由两个侧板和一个底座组成，所述支架放置于所述反应腔室内；上电极板，所述上电极板放置于所述支架上；下电极板，所述下电极板放置于所述支架上；射频线圈，所述射频线圈与所述反应腔室连接；涡流线圈，所述涡流线圈与所述反应腔室连接；电源，所述电源两极的导线分别穿过所述反应腔室的两个通孔，所述电源两极分别与所述上电极板和所述下电极板相连接。本公开提供的石墨烯冷壁生长装置通过引入电场和涡流加热，可得到完全垂直于基底的竖直石墨烯，该装置结构简单、加热速度快、热效率高、成本低。
专利权项：1.一种石墨烯冷壁生长装置，其特征在于，包括：反应腔室，所述反应腔室设置有两个通孔；支架，所述支架由两个侧板和一个底座组成，所述支架放置于所述反应腔室内；上电极板，所述上电极板设置于所述支架上；下电极板，所述下电极板设置于所述支架上；射频线圈，所述射频线圈与所述反应腔室连接，所述射频线圈为所述石墨烯冷壁生长装置提供等离子发生源；涡流线圈，所述涡流线圈与所述反应腔室连接，所述涡流线圈为所述石墨烯冷壁生长装置提供加热源；电源，所述电源两极的导线分别穿过所述反应腔室的两个通孔，所述电源两极分别与所述上电极板和所述下电极板相连接。
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