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IMD测量电路结构和IMD性能测试方法专利

发布时间:2018-11-30 14:17:34 来源:龙图腾网 导航: 龙图腾网> 最新专利技术> IMD测量电路结构和IMD性能测试方法

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申请/专利权人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

申请日:2012-10-18

公开(公告)日:2014-05-07

公开(公告)号:CN103779327A

专利技术分类:.加到半导体器件上的标志,例如注册商标、测试图案[2006.01]

专利摘要:本发明公开了一种IMD测量电路结构和IMD性能测试方法,该IMD测量电路结构设置于第一测量焊垫和第二测量焊垫之间,其包括金属线层对金属线层结构、通孔末端对金属线层结构、上层金属线层对下层金属线层结构以及通孔对通孔结构。本发明的IMD测量电路结构中同时包含了多种结构,因此在整个IMD测量电路结构中同时兼具了这些结构所反映的性能,所以在进行IMD性能测试时采用本发明的IMD测量电路结构,仅进行一次针对本发明的IMD测量电路结构的IMD性能测试,便可以获得包括多种结构在内的IMD的性能。本发明不需要再设计大量的测试结构并进行多次测试,极大的简化了IMD测试过程,使得测试过程简单且高效,从而缩短了半导体集成电路的生产周期,降低了生产成本。

专利权项:一种IMD测量电路结构,设置于第一测量焊垫和第二测量焊垫之间,其特征在于:所述IMD测量电路结构包括金属线层对金属线层metal to metal结构、通孔末端对金属线层via end to metal结构、上层金属线层对下层金属线层upper metal to bottom metal结构以及通孔对通孔via to via结构。

百度查询: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 IMD测量电路结构和IMD性能测试方法

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