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申请/专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日：2012-10-18
公开（公告）日：2017-03-15
公开（公告）号：CN103779327B
专利技术分类：.加到半导体器件上的标志，例如注册商标、测试图案[2006.01]
专利摘要：本发明公开了一种IMD测量电路结构和IMD性能测试方法，该IMD测量电路结构设置于第一测量焊垫和第二测量焊垫之间，其包括金属线层对金属线层结构、通孔末端对金属线层结构、上层金属线层对下层金属线层结构以及通孔对通孔结构。本发明的IMD测量电路结构中同时包含了多种结构，因此在整个IMD测量电路结构中同时兼具了这些结构所反映的性能，所以在进行IMD性能测试时采用本发明的IMD测量电路结构，仅进行一次针对本发明的IMD测量电路结构的IMD性能测试，便可以获得包括多种结构在内的IMD的性能。本发明不需要再设计大量的测试结构并进行多次测试，极大的简化了IMD测试过程，使得测试过程简单且高效，从而缩短了半导体集成电路的生产周期，降低了生产成本。
专利权项：一种IMD测量电路结构，设置于第一测量焊垫和第二测量焊垫之间，其特征在于：所述IMD测量电路结构包括金属线层对金属线层metal to metal结构、通孔末端对金属线层via end to metal结构、上层金属线层对下层金属线层upper metal to bottom metal结构以及通孔对通孔via to via结构；其中，所述金属线层对金属线层metal to metal结构为：金属线层对金属线层metal to metal结构中的两条金属线层为处于同一层的金属线层，并且，该两条金属线层相邻且相互平行；所述上层金属线层对下层金属线层upper metal to bottom metal结构由不互相连接的上层金属线层和下层金属线层之间的相重叠区域组成。
百度查询： 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 IMD测量电路结构和IMD性能测试方法
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