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申请/专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日：2016-09-30
公开（公告）日：2016-11-23
公开（公告）号：CN106158664A
专利技术分类：......带有绝缘栅的[2006.01]
专利摘要：本发明提供了一种MOSFET器件制造方法以及MOSFET器件。本发明的MOSFET器件制造方法包括：第一步骤：在绝缘体上硅结构的掩埋氧化物层上的硅顶层的上方形成具有侧墙的栅极结构；第二步骤：执行漏区注入从而在硅顶层中在栅极结构的第一侧形成漏区；第三步骤：执行源区注入从而在硅顶层中在栅极结构的第二侧形成源区，而且执行高温退火以在暴露的多晶硅表面生成硅化物；其中第一侧与第二侧相对，而且其中漏区的掺杂类型与源区的掺杂类型不同。
专利权项：一种MOSFET器件制造方法，其特征在于包括：第一步骤：在绝缘体上硅结构的掩埋氧化物层上的硅顶层的上方形成具有侧墙的栅极结构；第二步骤：执行漏区注入从而在硅顶层中在栅极结构的第一侧形成漏区；第三步骤：执行源区注入从而在硅顶层中在栅极结构的第二侧形成源区，而且执行高温退火以在暴露的多晶硅表面生成硅化物。
百度查询： 上海华力微电子有限公司 MOSFET器件制造方法以及MOSFET器件
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