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申请/专利权人：上海凯世通半导体有限公司
申请日：2014-05-06
公开（公告）日：2014-11-12
公开（公告）号：CN104143503A
专利技术分类：......产生离子注入的[2006.01]
专利摘要：本发明公开了一种掺杂方法，包括：步骤S1、采用离子注入的方式在一基底上形成一掺杂层；在该掺杂层上形成一电介质层；对该带有电介质层的基底进行退火处理；使用清洗液去除该电介质层。通过在离子注入形成掺杂层之后，形成一电介质层来改进由此制得的PN结构的性能，电介质层有助于降低基底表面的掺杂浓度以及晶格缺陷的修复，显著减少注入后损伤层内的缺陷密度，并对基底进行一定程度的吸杂以降低有害杂质的影响。
专利权项：一种掺杂方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1、采用离子注入的方式在一基底上形成一掺杂层；步骤S2、在该掺杂层上形成一电介质层；步骤S3、对该带有电介质层的基底进行退火处理；步骤S4、使用清洗液去除该电介质层。
百度查询： 上海凯世通半导体有限公司 掺杂方法
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