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申请/专利权人：中国科学院微电子研究所
摘要：本发明公开了一种应用于InP DHBT W波段功率放大器单片集成电路的稳定网络结构，该结构由并联在InP DHBT器件集电极端的电阻-扇形电容串联网络构成，其中，电阻的一端连接于InP DHBT器件的集电极端，另一端连接于扇形电容的圆心，电阻与扇形电容串联连接。利用本发明，在实际应用中与InP DHBT半导体工艺完全兼容，可以在很宽的带宽内有效消除功率放大器的低频不稳定性，从而可以有效抑制在W波段功率放大器中常见的低频振荡，提高了W波段功率放大器的稳定性和宽带性能，同时该稳定网络对电路的整体增益影响极小，能够获得高增益的功率放大器性能。
主权项：一种应用于InP DHBT W波段功率放大器单片集成电路的稳定网络结构，其特征在于，该结构由并联在InP DHBT器件集电极端的电阻‑扇形电容串联网络构成，其中，电阻的一端连接于InP DHBT器件的集电极端，另一端连接于扇形电容的圆心，电阻与扇形电容串联连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院微电子研究所 InP DHBT W波段功率放大器单片集成电路的稳定网络结构
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