龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：中国计量科学研究院
申请日：2018-04-26
公开（公告）日：2018-11-06
公开（公告）号：CN108767108A
专利技术分类：
专利摘要：本申请提供一种霍尔器件制备方法及霍尔器件，通过霍尔器件制备方法获得的霍尔器件，在GaAs衬底表面上直接光刻电极图形，沉积金属层，使得金属材料与二维电子气结构层接触，形成所述多个金属电极。然后，通过对制备有多个金属电极的GaAs衬底放置于保护气中退火，使得GaAs衬底表面与二维电子气结构层形成良好的欧姆接触。最后，用划片机沿着多个金属电极的外侧切出霍尔器件。霍尔器件没有霍尔棒结构，使得霍尔器件具有相对较大的临界电流。同时，通过图案化的掩膜层可以使得在进行光刻时，确保多个金属电极的精确对称。并且，霍尔器件制备方法由于减少了化学腐蚀霍尔棒的工艺步骤，使得GaAs衬底表面与二维电子气结构层的欧姆接触电阻的成功率达到100％。
专利权项：1.一种霍尔器件制备方法，其特征在于，包括：S10，提供一个GaAs基底110；S20，在所述GaAs基底110的表面生长二维电子气结构层120，形成具有所述二维电子气结构层120的GaAs衬底10，所述GaAs衬底10具有GaAs衬底表面130；S30，提供图案化的掩膜层40，并以所述掩膜层40为遮挡，在所述GaAs衬底表面130形成多个电极窗口50；S40，在所述多个电极窗口50中，沉积金属材料，形成金属电极层601；以及S50，将制备有所述金属电极层601的所述GaAs衬底10放置于保护气中，在温度400℃～500℃下，退火30秒～80秒，使所述GaAs衬底表面130与所述二维电子气结构层20的欧姆接触，形成多个金属电极60，制备出霍尔器件100。
百度查询： 中国计量科学研究院 霍尔器件制备方法及霍尔器件
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号