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申请/专利权人：旺矽科技股份有限公司
申请日：2015-05-11
公开（公告）日：2017-12-26
公开（公告）号：CN105080845B
专利技术分类：
专利摘要：本发明提供一种晶粒标示方法及晶粒标示设备，适于标示在分选载体上的多个晶粒的位置。晶粒标示方法包括下列步骤。通过重叠于分选载体下方的显示装置的像素阵列显示出晶粒地图。晶粒地图包括背景及多个标示区域，这些标示区域对应于这些晶粒的预设位置分布在背景上，且各标示区域经由显示装置的像素阵列的多个像素显示并环绕对应的晶粒。对应被判定受损的晶粒的标示区域的垂直宽度大于或等于显示装置的像素阵列的像素的垂直宽度的三倍，且对应晶粒的标示区域的水平宽度大于或等于显示装置的像素阵列的像素的水平宽度的三倍。从而可通过标示区域来标示出分选载体上的被判定受损的晶粒。
专利权项：一种晶粒标示方法，适于标示在分选载体上的多个晶粒的位置，其特征在于，所述晶粒标示方法包括：通过重叠于所述分选载体下方的显示装置的像素阵列显示出晶粒地图，所述晶粒地图包括背景及多个标示区域，该些标示区域对应于该些晶粒的预设位置分布在所述背景上，各所述标示区域经由所述显示装置的像素阵列的多个像素显示并环绕对应的所述晶粒，对应被判定受损的所述晶粒的所述标示区域的垂直宽度大于或等于所述显示装置的所述像素阵列的所述像素的垂直宽度的三倍，且对应所述晶粒的所述标示区域的水平宽度大于或等于所述显示装置的所述像素阵列的像素的水平宽度的三倍，当对应被判定受损的所述晶粒的位置偏离对应的所述预设位置时，对应所述晶粒的所述标示区域移动至对准所对应的所述晶粒。
百度查询： 旺矽科技股份有限公司 晶粒标示方法及晶粒标示设备
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