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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日：2012-11-09
公开（公告）日：2013-06-05
公开（公告）号：CN103137618A
专利技术分类：.包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的[2006.01]
专利摘要：一种半导体结构，包括：衬底；位于衬底中的第一功率器件和第二功率器件；位于第一和第二功率器件之间的至少一个隔离部件；以及位于衬底中的邻接至少一个隔离部件的俘获部件。本发明提供了局部载流子寿命减少的结构及其形成方法。
专利权项：一种半导体结构，包括：衬底；第一功率器件和第二功率器件，都位于所述衬底中；至少一个隔离部件，位于所述第一功率器件和所述第二功率器件之间；以及俘获部件，位于所述衬底中，所述俘获部件邻接所述至少一个隔离部件。
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 局部载流子寿命减少
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