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高隔离度高压脉冲电源专利

发布时间:2018-12-17 18:34:13 来源:龙图腾网 导航: 龙图腾网> 最新专利技术> 高隔离度高压脉冲电源

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申请/专利权人:桂林理工大学

申请日:2013-10-09

公开(公告)日:2016-03-02

公开(公告)号:CN103490662B

专利技术分类:.带有交流功率输入的[2006.01]

专利摘要:本发明公开了一种高隔离度高压脉冲电源。包括高隔离变压器、低压触发信号、光纤隔离传输电路、整流电路、储能电路、可控硅、脉冲变压器和放电气隙负载。分别利用高隔离变压器和光纤隔离传输电路实现与市电的隔离和低压触发信号的隔离,隔离后的市电经过整流之后给储能电路充电,并由可控硅导通而通过脉冲变压器产生高压脉冲释放到放电气隙负载上。本发明能够实现输出高压脉冲与市电和低压触发信号的高度隔离,并且输出的高压负脉冲能够满足触发火花隙开关等应用的要求。

专利权项:一种高隔离度高压脉冲电源,其特征在于高隔离度高压脉冲电源包括高隔离变压器、低压触发信号、光纤隔离传输电路、整流电路、储能电路、可控硅、脉冲变压器和放电气隙负载;该电源的供电来源于市电;市电经高隔离变压器隔离之后由整流电路进行整流,产生的直流给电容组成的储能电路充电;储能电路上存储能量的释放是通过可控硅的导通实现的;低压触发信号经光纤隔离传输电路隔离后连接到可控硅的控制端,一定宽度的高电平会使可控硅导通,储能电路上的能量通过可控硅释放到脉冲变压器的原边,经过副边升压后形成高压脉冲能量释放到放电气隙负载上;可控硅的截止是在储能电路上的电能释放完之后,隔离后的市电经半波整流在可控硅的阳极与阴极之间形成的反向电压实现的;该电源形成的高压脉冲宽度不受低压触发信号宽度的影响。

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