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一种制备新型导电氧化铟靶材及氧化铟薄膜的方法专利

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申请/专利权人:研创应用材料(赣州)有限公司

申请日:2013-04-24

公开(公告)日:2013-07-17

公开(公告)号:CN103205708A

专利技术分类:..氧化物(C23C14/10优先)[2006.01]

专利摘要:本发明公开了一种制备新型导电氧化铟靶材及氧化铟薄膜的方法,由添加第三种元素在本来的二元氧化物中,以提高电载子移动性来提高透光性及导电性,并首创使用注浆成型加高温烧结的方式来制作相关靶材,提高靶材均匀性及致密度,大幅降低溅镀过程中异常电弧的产生,延长靶材寿命及利用率,提高溅镀薄膜质量及性能,有效提高CIGS太阳能电池的效率,满足了生产的要求。

专利权项:一种制备新型导电氧化铟靶材及氧化铟薄膜的方法,其特征在于:下列物质的重量用重量份数表示:将100份氧化铟添加混合金属氧化物,再加68份的氧化锆球、30份的纯水及2份的分散剂,将以上物质研磨充分混合得到浆料,然后将浆料灌入三寸的多孔性模具中,干燥20‑28小时,脱膜形成胚体,再经1400‑1550度的高温烧结5.5‑6.5小时,形成溅镀用靶材胚体,经切割与表面研磨成三寸导电氧化铟靶材;将上述制得的导电氧化铟靶材先以DC电源溅镀第一层500nm厚的Mo薄膜,然后共蒸镀制造第二层2000nm厚的CIGS吸收层薄膜,接着以水浴法镀制第三层100nm 厚的CdS薄膜,然后以真空抽气系统将溅镀腔体背景压力抽至0.7×10‑5‑0.9×10‑5 torr后,利用氩气当作工作气体,透过节流阀将通入氩气控制溅镀腔体的工作压力为2×10‑3torr,用功率为250瓦的RF电源进行溅镀制程,制得薄膜厚度90‑110nm的透明导电氧化铟薄膜。

百度查询: 研创应用材料(赣州)有限公司 一种制备新型导电氧化铟靶材及氧化铟薄膜的方法

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