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申请/专利权人：电子科技大学
申请日：2009-10-15
公开（公告）日：2011-01-05
公开（公告）号：CN101694531B
专利技术分类：.衍射光栅[2006.01]
专利摘要：本发明公开了一种过剩光载流子菲涅耳波带片，它包括激发光光源1、扩束器2、干涉生成系统3和半导体材料4，激发光光源1的光子能量大于半导体材料4的禁带宽度，激发光光源1发出的入射光经过扩束器2进行扩束后再经干涉生成系统3分成具有固定光程差的光束，这些光束入射到半导体材料4上发生干涉，形成同心的圆环干涉条纹。该菲涅耳波带片利用光与半导体相互作用产生过剩光载流子的机理，在半导体基片上产生与干涉图样一致的过剩光载流子分布。由于过剩光载流子可以改变半导体材料的折射率，因此有过剩光载流子分布的区域的折射率会发生改变，成为折射率异常区，最终实现对入射光的菲涅耳衍射。
专利权项：一种过剩光载流子菲涅耳波带片，其特征在于，它包括激发光光源1、扩束器2、干涉生成系统3和半导体材料4，激发光光源1的光子能量大于半导体材料4的禁带宽度，激发光光源1发出的入射光经过扩束器2进行扩束后再经干涉生成系统3分成具有固定光程差的光束，这些光束入射到半导体材料4上发生干涉，形成同心的圆环干涉条纹。
百度查询： 电子科技大学 过剩光载流子菲涅耳波带片
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