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申请/专利权人：江苏林洋光伏科技有限公司

摘要：本实用新型公开了一种改善SINA边缘发红的机台结构，包括石墨框1和反应仓，其特征在于：在边列石墨框1与石墨框勾点2之间设置两个垫片3；在反应仓内部的U型槽敷板6上所设置的NH3气孔7直径扩大为1.0mm。通过上述两个特征的结合，产生协同作用，更好的加快边列氮化硅沉积速率，实现边缘发红的改善。

主权项：1.一种改善SINA边缘发红的机台结构，包括石墨框1和反应仓，其特征在于：在边列石墨框1与石墨框勾点2之间设置两个垫片3；在反应仓内部的U型槽敷板6上所设置的NH3气孔7直径扩大为1.0mm。

全文数据：改善SINA边缘发红的机台结构技术领域本实用新型设置太阳能电池制造领域，具体是一种改善SINA边缘发红的机台结构。背景技术板式PECVD的SINA机台由于微波衰减，会产生边缘发红的现象，增加返工率。传统的解决方法：1.降低两侧温度，减小挥发，但会导致边缘致密性降低，影响成品电池片效率。2.增加两侧功率，减小衰减，但会减小石英管寿命，增加维护成本。3.改造勾点深度、宽度，但会有碎片率增加的风险。需要一种简单、有效、成本低的方法来改善SINA边缘发红。实用新型内容本实用新型为解决现有技术中存在的问题，提出了一种改善SINA边缘发红的机台结构。技术方案：一种改善SINA边缘发红的机台结构，包括石墨框和反应仓，在边列石墨框与石墨框勾点之间设置两个垫片；在反应仓内部的U型槽敷板上所设置的NH3气孔直径扩大为1.0mm。优选的，每个垫片的厚度为0.9mm。优选的，U型槽敷板的两侧各设置有3个NH3气孔。本实用新型的有益效果1垫片位于石墨框和勾点之间，原垫片厚度0.9mm，将石墨框边列侧的垫片由1个增至2个，使垫片整体厚度增加至1.8mm，石墨框边列侧的Wafer与石英管间距缩短了0.9mm，边列测氮化硅沉积速率加快，改善边缘发红。2NH3气孔位于设备反应仓内部的U型槽敷板上，使用1mm钻头将敷板两侧各3个0.8mm直径的NH3气孔增加至1.0mm，增加特气出气量，边列氮化硅沉积速率加快，改善边缘发红。附图说明图1为现有技术中石墨框勾点垫片示意图。图2为本实用新型中石墨框勾点垫片示意图。图3为现有技术中与本实用新型中NH3气孔大小对比图。具体实施方式下面结合实施例对本实用新型作进一步说明，但本实用新型的保护范围不限于此：Sina机台是Meyerburger公司制造，用于太阳能电池片镀膜工序的氮化硅膜沉积，原理采用微波PECVD，即微波源至于样品区域之外，先将氨气离化，再轰击硅烷，产生的氮化硅分子沉积在样品的表面上。该设备具有稳定性高、氮化硅颜色均匀、产能高的特点。在太阳能电池片镀膜工序中，石墨款通常作为板式PECVD的硅片载具，石墨框由碳纤维条编制成，具有加热快、结构稳定特性。石墨框勾点通常有4个，分别位于石墨框上、下、左、右边缘中心处，用于承载硅片。现有技术中，如图1所示，在石墨框1和勾点2之间，设置有一个垫片3，垫片3厚度为0.9mm，该垫片3的作用是加固石墨框和石墨框勾点之间的连接，防止石墨框勾点晃动。本实施例中，如图2所示，将石墨框边列垫片3由1个增至2个，使电池片4边列与石英管5间距缩短0.9mm，边列沉积速率加快，改善边缘发红。现有技术中，如图3所示，在反应仓设备厂家meyerbuger，机台型号sina3200，反应仓6PM-R25395内部的U型槽敷板6上设置有3+18+3共计24个0.8mm的NH3气孔7，两侧的各3个NH3气孔可以在Sina机台操作界面上单独设置NH3流量大小，改善边缘发红现象。本实施例中，如图3所示，NH3出气孔7的直径由0.8mm增加至1.0mm，增加氨气出气量，边列沉积速率加快，改善边缘发红。直径的增加方法可以采取1mm钻头进行扩孔。通过上述两个特征的结合，产生协同作用，更好的加快边列氮化硅沉积速率，实现边缘发红的改善。本文中所描述的具体实施例仅仅是对本实用新型精神做举例说明。本实用新型所属技术领域的技术人员可以对所描述的具体实施例做各种各样的修改或补充或采用类似的方式替代，但并不会偏离本实用新型的精神或者超越所附权利要求书所定义的范围。

权利要求：1.一种改善SINA边缘发红的机台结构，包括石墨框1和反应仓，其特征在于：在边列石墨框1与石墨框勾点2之间设置两个垫片3；在反应仓内部的U型槽敷板6上所设置的NH3气孔7直径扩大为1.0mm。2.根据权利要求1所述的改善SINA边缘发红的机台结构，其特征在于：每个垫片3的厚度为0.9mm。3.根据权利要求1所述的改善SINA边缘发红的机台结构，其特征在于：U型槽敷板6的两侧各设置有3个NH3气孔7。

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