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申请/专利权人:ETC外延技术中心有限公司
申请日:2002-12-10
公开(公告)日:2005-12-14
公开(公告)号:CN1708602A
专利技术分类:..以加热基体的方法为特征的(C23C16/48、C23C16/50优先)[2006.01]
专利摘要:本发明涉及一种用于处理基片和或晶片的装置的感受器系统,该感受器系统设有空腔1,该空腔1作为用于处理基片和或晶片的腔室,且该空腔1沿纵向方向延伸,并由上部壁2、下部壁3、右侧壁4和左侧壁5来界定,上部壁2由至少一个适用于通过电磁感应加热的导电材料部件而构成,下部壁3由至少一个适用于通过电磁感应加热的导电材料部件而构成,右侧壁4由至少一个惰性、耐火和电绝缘材料部件而构成,左侧壁5由至少一个惰性、耐火和电绝缘材料部件而构成,这样,上部壁2的部件与下部壁3的部件电绝缘。
专利权项:1.一种感受器系统,用于处理基片和或晶片的装置,该感受器系统设有空腔1,该空腔1作为用于处理基片和或晶片的腔室,且该空腔1沿纵向方向延伸,并由上部壁2、下部壁3、右侧壁4和左侧壁5来界定,上部壁2由至少一个适用于通过电磁感应加热的导电材料部件而构成,下部壁3由至少一个适用于通过电磁感应加热的导电材料部件而构成,右侧壁4由至少一个惰性、耐火和电绝缘材料部件而构成,左侧壁5由至少一个惰性、耐火和电绝缘材料部件而构成,这样,上部壁2的所述部件或各部件与下部壁3的所述部件或各部件电绝缘,部件2、3、4、5包含于感受器系统中。
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