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申请/专利权人:ETC外延技术中心有限公司
申请日:2002-12-10
公开(公告)日:2005-12-14
公开(公告)号:CN1708601A
专利技术分类:..以加热基体的方法为特征的(C23C16/48、C23C16/50优先)[2006.01]
专利摘要:本发明涉及一种感受器系统,用于处理基片和或晶片的装置,该感受器系统提供有由至少两个壁界定的处理腔室1,并有至少一个加热螺线管9;该感受器系统包括至少一个感受器元件2、3,该感受器元件由外表面界定,并由适于通过电磁感应加热的导电材料制成;感受器元件2、3为空心的,且该感受器元件2、3的外表面的第一部分适于作为处理腔室1的壁,而该感受器元件2、3的外表面的第二部分适于布置成靠近加热螺线管9。
专利权项:1.一种感受器系统,用于处理基片和或晶片的装置,该感受器系统设有由至少两个壁界定的处理腔室1,并有至少一个加热螺线管9;它包括至少一个感受器元件2、3,该感受器元件由外表面界定,并由适于通过电磁感应加热的导电材料制成;其特征在于:所述至少一个感受器元件2、3为空心的,且所述至少一个感受器元件2、3的所述外表面的第一部分适于作为处理腔室1的壁,而所述至少一个感受器元件2、3的所述外表面的第二部分适于布置得靠近加热螺线管9。
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