龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：株式会社爱发科
申请日：2011-11-18
公开（公告）日：2015-05-20
公开（公告）号：CN103314129B
专利技术分类：..溅射[2006.01]
专利摘要：该阴极（120）用于成膜装置（100），包括：靶（C）、控制部（E）以及磁场生成部（H），所述靶（C）被设置在所述成膜空间（50）内，且具有：具有第一主面（104a、214a）、第二主面（104b、214b）、第一侧面（111）和第二侧面（112）的背板（104、214），第一母材（105），第二母材（106），以及从所述第一侧面（111）向所述第二侧面（112）贯通所述背板（104、214）的旋转轴（107）；所述控制部（E）使所述旋转轴（107）旋转，经由所述旋转轴（107）对所述靶（C）供给用于溅射的电力；所述磁场生成部（H）被设置在与从所述成膜空间（50）远离的所述背板（104、214）的面靠近的位置，以在所述第一母材（105）或所述第二母材（106）生成漏磁通。
专利权项：一种阴极，用于成膜装置，所述阴极的特征在于，包括：靶、控制部以及磁场生成部，所述靶被设置在成膜空间内，且具有：具有第一主面、位于所述第一主面的相反侧的第二主面、第一侧面和位于所述第一侧面的相反侧的第二侧面的背板，被配置在所述第一主面的第一母材，被配置在所述第二主面的第二母材，以及从所述第一侧面向所述第二侧面贯通所述背板的旋转轴；所述控制部使所述旋转轴旋转，经由所述旋转轴对所述靶供给用于溅射的电力；所述磁场生成部被设置在与从所述成膜空间远离的所述背板的面靠近的位置且位于所述背板的外部，以在所述第一母材或所述第二母材生成漏磁通，所述磁场生成部，当漏磁通在所述第一母材生成时，被配置在靠近所述第二母材的位置，当漏磁通在所述第二母材生成时，被配置在靠近所述第一母材的位置。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号