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使用兼容浸渍媒质浸渍光刻方法专利

发布时间:2019-03-07 17:46:15 来源:龙图腾网 导航: 龙图腾网> 最新专利技术> 使用兼容浸渍媒质浸渍光刻方法

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申请/专利权人:先进微装置公司

申请日:2004-10-26

公开(公告)日:2006-12-27

公开(公告)号:CN1886698A

专利技术分类:.曝光及其设备(复制用照相印制设备入G03B27/00)[2006.01]

专利摘要:一种使用具有发出曝光图案24的透镜32的光刻系统10制造装置的方法。兼容浸渍媒质26可位在光敏抗蚀光刻胶层34与透镜之间。光刻胶层其可设置在晶片上与透镜可与兼容浸渍媒质密切接触。然后以曝光图案穿透兼容浸渍媒质而使光刻胶层曝光。

专利权项:1.一种使用光刻系统10制造装置的方法,该光刻系统10具有发出曝光图案24的透镜32,该方法包括:提供晶片12及设置在晶片上的光刻胶层34;将兼容浸渍媒质26定位在光刻胶层与透镜之间;以及以曝光图案使光刻胶层曝光,该曝光图案穿过兼容浸渍媒质。

百度查询: 先进微装置公司 使用兼容浸渍媒质浸渍光刻方法

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