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申请/专利权人：昭和电工株式会社
申请日：2011-07-08
公开（公告）日：2013-05-08
公开（公告）号：CN103098238A
专利技术分类：...在发光区中，例如量子限制结构或隧道势垒[2010.01]
专利摘要：本发明涉及的发光二极管，具备pn结型的发光部，所述发光部具有由n层的应变发光层（12）和n-1层的势垒层（13）构成的发光层（10），势垒层存在时，所述发光层（10）具有1层的应变发光层（12）和1层的势垒层（13）交替地层叠而成的结构，n为1～7的整数，并且发光层（10）的厚度为250nm以下。
专利权项：一种发光二极管，其特征在于，具备pn结型的发光部，所述发光部具有由n层的应变发光层和n‑1层的势垒层构成的发光层，势垒层存在时，所述发光层具有1层的应变发光层和1层的势垒层交替地层叠而成的结构，所述n为1～7的整数，并且所述发光层的厚度为250nm以下。
百度查询： 昭和电工株式会社 发光二极管和发光二极管灯
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