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申请/专利权人：昭和电工株式会社
申请日：2011-08-16
公开（公告）日：2013-06-12
公开（公告）号：CN103155181A
专利技术分类：...只包括周期体系中的III族和V族的元素[2010.01]
专利摘要：本发明提供一种具有655nm以上的发光波长，单色性优异，并且具有高输出功率、高辉度、高效率，响应速度快，具有从光取出面放射的光之中的与光取出面正交的方向上的光的强度较强的指向性，且能够向外部效率好地散出热的发光二极管和发光二极管灯。具备至少含有pn结型的发光部（3）和与发光部（3）层叠的应变调整层（13）的化合物半导体层（11），发光部（3）具有组成式为（AlXGa1-X）YIn1-YP的应变发光层和势垒层的叠层结构，其中，0≤X≤0.1、0.37≤Y≤0.46，应变调整层（13）能够透过发光部（3）的光，并且具有比应变发光层和势垒层的晶格常数小的晶格常数，在位于光取出面（11a）的反对侧的化合物半导体层（11）的面（11b）上具有隔着反射结构体（4）而接合的功能性基板（5）。
专利权项：一种发光二极管，其特征在于，具备化合物半导体层，所述化合物半导体层至少含有pn结型的发光部和层叠于所述发光部的应变调整层，所述发光部具有组成式为（AlXGa1‑X）YIn1‑YP的应变发光层和势垒层的叠层结构，其中，0≤X≤0.1、0.37≤Y≤0.46，所述应变调整层，相对于发光波长是透明的，并且具有比所述应变发光层和所述势垒层的晶格常数小的晶格常数，在所述化合物半导体层的与光取出面相反侧的面上隔着反射结构体接合有功能性基板。
百度查询： 昭和电工株式会社 发光二极管和发光二极管灯
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