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申请/专利权人：住友电气工业株式会社
申请日：2010-03-23
公开（公告）日：2014-06-11
公开（公告）号：CN102150271B
专利技术分类：..按其构成材料的特征区分的[2006.01]
专利摘要：一种MOSFET 1，包括：碳化硅SiC衬底2，所述碳化硅SiC衬底2的主表面相对于{0001}面具有不小于50°且不大于65°的偏离角；半导体层21，所述半导体层21形成在SiC衬底2的主表面上；和绝缘膜26，所述绝缘膜26形成为与半导体层21的表面接触。该MOSFET 1具有不大于0.4VDecade的亚阈值斜率。
专利权项：一种MOSFET（1，3），包括：碳化硅衬底（2），所述碳化硅衬底（2）的主表面相对于{0001}面具有不小于50°且不大于65°的偏离角；半导体层（21，31），所述半导体层（21，31）形成在所述碳化硅衬底（2）的所述主表面上；以及绝缘膜（26），所述绝缘膜（26）形成为与所述半导体层（21，31）的表面相接触，所述MOSFET（1，3）具有不大于0.4VDecade的亚阈值斜率，其中所述MOSFET（1，3）进一步包括一包含氮原子并且夹在所述半导体层（21，31）和所述绝缘膜（26）之间的区域，并且其中，在距离所述半导体层（21，31）和所述绝缘膜（26）之间的界面10nm或更近的部分处的所述半导体层内的所述区域中，氮浓度的最大值为1×1021cm‑3或更大，其中，所述MOSFET（1，3）具有不小于74（cm2Vs）且不大于92（cm2Vs）的沟道迁移率。
百度查询： 住友电气工业株式会社 MOSFET和制造MOSFET的方法
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