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申请/专利权人：夏普株式会社
申请日：2005-10-05
公开（公告）日：2011-07-27
公开（公告）号：CN101076494B
专利技术分类：..纯化（用区域熔融入C30B13/00）[2006.01]
专利摘要：本发明提供精制硅的方法，该方法包括将碳20、21与氧化气体反应所生成的处理气吹到熔融硅8中的步骤，以及提供由该方法制造的硅。可将碳20、21装在容器14中，可使所述氧化气体通过该容器14，以及所述氧化气体可包含水蒸气和氢气中的至少一种。
专利权项：一种硅的精制方法，其包括将碳20、21与包含选自空气、氧气、二氧化碳、水蒸气和氢气中的至少一种的气体反应所生成的处理气吹入到熔融硅8中的步骤，其中将碳20、21装在容器14中，并使所述气体通过该容器14。
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