龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：日立化成株式会社
申请日：2012-07-18
公开（公告）日：2014-03-26
公开（公告）号：CN103688367A
专利技术分类：..以其形状或以多个半导体区域的形状、相关尺寸或配置为特征的[2006.01]
专利摘要：本发明的目的在于，在具有选择性发射极结构的太阳能电池中，抑制电极正下方的n型杂质浓度较高的n+型扩散层与电极间的位置偏差。本发明提供一种太阳能电池基板、一种太阳能电池基板的制造方法、一种太阳能电池元件及一种太阳能电池。所述太阳能电池基板为包括n型扩散层、及比上述n型扩散层的n型杂质浓度高的n+型扩散层，且在上述n+型扩散层的表面具有凹部的半导体基板。
专利权项：一种太阳能电池基板，其是具有n型扩散层和n+型扩散层的半导体基板，所述n+型扩散层的n型杂质浓度高于所述n型扩散层的n型杂质浓度，且在所述n+型扩散层的表面具有凹部。
百度查询： 日立化成株式会社 太阳能电池基板、太阳能电池基板的制造方法、太阳能电池元件及太阳能电池
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号