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申请/专利权人：夏普株式会社
申请日：2011-02-24
公开（公告）日：2014-04-09
公开（公告）号：CN102163524B
专利技术分类：...场致发射阴极[2006.01]
专利摘要：本发明提供一种电子发射元件，其包括：第一电极；绝缘细粒层，其形成在第一电极上并且由绝缘细粒构成；以及第二电极，其形成在绝缘细粒层上，其中绝缘细粒层设置有在其表面中形成的凹陷，该表面面对第二电极，每个凹陷具有的深度小于绝缘细粒层的厚度，并且当电压施加在第一电极与第二电极之间时，从第一电极提供的电子在绝缘细粒层中加速，从而经过第二电极而发射。
专利权项：一种电子发射元件，其包括：第一电极；绝缘细粒层，其被形成在所述第一电极上并且由绝缘细粒构成；以及第二电极，其被形成在所述绝缘细粒层上，其中所述绝缘细粒层被设置有在其表面中形成的凹陷，所述表面面对所述第二电极，每个所述凹陷具有的深度小于所述绝缘细粒层的厚度，并且当电压被施加在所述第一电极与所述第二电极之间时，从所述第一电极提供的电子在所述绝缘细粒层中加速，从而经过所述第二电极而发射，其中所述凹陷被涂覆有碳薄膜。
百度查询： 夏普株式会社 电子发射元件、使用所述元件的设备和用于制造所述元件的方法
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