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申请/专利权人：国立大学法人大阪大学
申请日：2007-11-14
公开（公告）日：2012-07-25
公开（公告）号：CN101583745B
专利技术分类：..氮化物[2006.01]
专利摘要：本发明提供一种GaN晶体的制造方法，其可以实现防止成核和高品质非极性面生长中的至少一个方面。本发明的制造方法是在至少含有碱金属和镓的熔体中制造GaN晶体的方法，所述GaN晶体的制造方法包含调整前述熔体中的碳的含量的调整工序和前述镓与氮反应的反应工序。通过本发明的制造方法可以防止成核，另外，如图4所示，能够使非极性面生长。
专利权项：一种GaN晶体制造方法，所述方法是在至少含有碱金属和镓的熔体中制造GaN晶体的方法，其包含调整前述熔体中的碳的含量的调整工序和前述镓与氮反应的反应工序，其通过调整前述熔体中的碳的含量，防止晶核的生成，相对于前述熔体、前述镓以及前述碳的总和，前述熔体中的碳的含量为0.1～5原子％范围；或者其通过调整前述熔体中的碳的含量，前述GaN晶体的非极性面生长，相对于前述熔体、前述镓以及前述碳的总和，前述熔体中的碳的含量为0.3～8原子％范围。
百度查询： 国立大学法人大阪大学 GaN晶体的制造方法、GaN晶体、GaN晶体基板、半导体装置及GaN晶体制造装置
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