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申请/专利权人：株式会社岛津制作所
申请日：2016-02-23
公开（公告）日：2016-08-31
公开（公告）号：CN105914124A
专利技术分类：..离子源；离子枪[2006.01]
专利摘要：公开一种电离设备。离子源3中，形成朝离子发射端口311排斥离子的排斥电场的排斥电极32在电离室31内，离子聚集电极36和37分别在电子导入端口312和丝34之间，和电子排出端口313和反向丝35之间。通过施加预定电压到离子聚集电极36和37中的各个形成的电场由电子导入端口312和电子排出端口313侵入电离室31，且变成离子光轴C方向上推动离子的聚集电场。偏离电离室31中心部分位置的离子接收排斥电场力和聚集电场力的结合力，并朝离子发射端口311移动，同时接近光轴C。因此，离子发射端口发送出的离子量增加。此外即使充电现象发生，离子轨迹也不太容易改变，且灵敏度稳定性可以提高。
专利权项：一种电离设备，其特征在于，所述电离设备用于使预定样品分子或者原子离子化，所述电离设备包括：a电离室，所述电离室具有：电子导入端口，所述电子导入端口用于将热电子导入所述电离室的内部空间；电子排出端口，所述电子排出端口用于将已经穿过所述内部空间的热电子排出；以及离子发射端口，所述离子发射端口用于将在所述内部空间产生的源自样品的离子发射至外部；b热电子源，所述热电子源用于产生所述热电子，所述热电子源被布置在所述电子导入端口的外侧上；c电子捕获单元，所述电子捕获单元用于捕获通过所述电子排出端口排出的所述热电子，所述电子捕获单元被设置在所述电子排出端口的外侧上；d排斥电极,所述排斥电极用于在所述电离室中形成排斥电场，所述排斥电场将在所述电离室中产生的源自样品的离子朝向所述离子发射端口排斥，所述排斥电极被布置在所述电离室的内部，以便与所述离子发射端口相对；以及e离子聚集电极，所述离子聚集电极用于在所述电离室中形成聚集电场，所述聚集电场将在所述电离室中产生的所述源自样品的离子聚集在通过由所述排斥电场排斥所述源自样品的离子而形成的离子流的中心轴周围，所述离子聚集电极被布置在所述热电子源和所述电子导入端口之间以及所述电子排出端口和所述电子捕获单元之间中的任何一个或者两者。
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