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申请/专利权人：朗姆研究公司
申请日：2007-10-16
公开（公告）日：2009-09-09
公开（公告）号：CN101529561A
专利技术分类：.......等离子腐蚀；活性离子腐蚀[2006.01]
专利摘要：一种用于在半导体基片处理中使用的等离子反应室的电极总成。该总成包括上部电极、贴附到该上部电极的上表面的背衬构件和外环。该外环围绕该背衬构件的外部表面并且位于该上部电极的上表面之上。
专利权项：1.一种在半导体基片处理中使用的等离子反应室的电极总成包括：上部电极；背衬构件，该背衬构件可贴附于该上部电极的上表面；以及外环，其围绕该背衬构件的外部表面并位于该上部电极的上表面之上。
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