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申请/专利权人：株式会社村田制作所
申请日：2008-02-05
公开（公告）日：2012-08-22
公开（公告）号：CN101547875B
专利技术分类：
专利摘要：本发明提供具有大的矫顽电场的值的同时，可在950℃以下的低温下烧成的压电陶瓷。所述压电陶瓷采用如下的组成：以通式Pbx-a-dBiaM3d{M1bM213Nb23yZr1-b-y-zTiz}O3表示，M1和M2分别为Ni和Zn的至少一种，M3为Ba和Sr的至少一种；所述a、b、d、x、y、z满足0.05≤a≤0.15、0＜b≤0.075、0≤a-2b、0≤d≤0.1、0.97≤x≤1.00、0.020≤y≤0.250、0.398≤z≤0.512。此外，较好是M1为Ni，M2为Ni或Zn的至少一种。此外，较好是呈Ni偏析的状态。
专利权项：压电陶瓷，其特征在于，以通式Pbx‑a‑dBiaM3d{M1bM213Nb23yZr1‑b‑y‑zTiz}O3表示，M1和M2分别为Ni和Zn的至少一种，M3为Ba和Sr的至少一种；所述a、b、d、x、y、z满足0.05≤a≤0.15、0＜b≤0.075、0≤a‑2b、0≤d≤0.1、0.97≤x≤1.00、0.020≤y≤0.250、0.398≤z≤0.512。
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