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申请/专利权人：京瓷株式会社
申请日：2007-12-21
公开（公告）日：2013-01-02
公开（公告）号：CN101578248B
专利技术分类：....以钛酸铋为基料的[2006.01]
专利摘要：本发明提供压动态d33常数大，在200℃的高温下也能够使用，相对于室温的动态d33常数的200℃的动态d33常数的变化小的压电陶瓷及压电元件。其特征在于，铋层状化合物在将组成式表示为Bi4Ti3O12·β[1-γMlTiO3·γM2M3O3]时，满足0.405≤β≤0.498、0≤γ≤0.3，并且，M1为选自Sr、Ba、Ca、Bi0.5Na0.5、Bi0.5Li0.5及Bi0.5K0.5中的至少一种，M2为选自Bi、Na、K及Li中的至少一种，M3为选自Fe及Nb中的至少一种，相对于所述铋层状化合物即主成分100质量份，以氧化物MnO2、Fe2O3换算的总量计，含有0.05～1质量份的选自Mn及Fe中的至少一种。
专利权项：一种压电陶瓷，其特征在于，所述压电陶瓷以铋层状化合物为主成分，所述铋层状化合物的组成式表示为Bi4Ti3O12·β[1‑γM1TiO3·γM2M3O3]，满足0.405≤β≤0.498、0≤γ≤0.3，并且，M1为选自Sr、Ba、Ca、Bi0.5Na0.5、Bi0.5Li0.5及Bi0.5K0.5中的至少一种，M2为选自Bi、Na、K及Li中的至少一种，M3为选自Fe及Nb中的至少一种，相对于所述铋层状化合物即主成分100质量份，以氧化物MnO2、Fe2O3换算的总量计，含有0.05～1质量份的选自Mn及Fe中的至少一种。
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