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申请/专利权人：国际商业机器公司;瑞萨电子公司
申请日：2014-06-03
公开（公告）日：2017-07-21
公开（公告）号：CN104217962B
专利技术分类：......带有绝缘栅的[2006.01]
专利摘要：本发明涉及晶体管以及制造晶体管的方法。晶体管及其制造方法包括：在衬底上形成一个或多个半导体鳍；用保护层覆盖所述一个或多个半导体鳍的源极区和漏极区；在气体环境中对所述一个或多个半导体鳍的未覆盖的沟道部分进行退火以减小鳍宽度并且使所述一个或多个半导体鳍的拐角变圆；以及在减薄的鳍之上形成电介质层和栅极。
专利权项：一种制造晶体管的方法，包括：在衬底上形成一个或多个半导体鳍；用保护层覆盖所述一个或多个半导体鳍的源极区和漏极区；在气体环境中对所述一个或多个半导体鳍的未覆盖的沟道部分进行退火以减小鳍宽度、产生在底部最宽且向着顶部逐渐变窄的鳍轮廓并且使所述一个或多个半导体鳍的拐角变圆；以及在减薄的鳍之上形成电介质层和栅极。
百度查询： 国际商业机器公司 瑞萨电子公司 晶体管以及制造晶体管的方法
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