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具有位于缝隙结构中的支撑结构的三维存储器件和用于形成其的方法专利

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申请/专利权人:长江存储科技有限责任公司

申请日:2019-08-23

公开(公告)日:2020-03-20

公开(公告)号:CN110896666A

专利技术分类:

专利摘要:提供了用于形成三维3D存储器件的结构和方法的实施例。在一个示例中,3D存储器件包括堆叠层结构和至少一个源极结构,所述至少一个源极结构在纵向和横向上延伸,并且将所述堆叠层结构划分成多个存储块区域。所述堆叠层结构可以包括被交织在衬底上的多个导体层和多个绝缘层。所述至少一个源极结构包括沿所述纵向方向延伸到所述衬底的至少一个支撑结构,所述至少一个支撑结构与所述相应的源极结构的至少侧壁接触。

专利权项:1.一种三维3D存储器件,包括:堆叠层结构,其包括被交织在衬底上的多个导体层和多个绝缘层;以及至少一个源极结构,其在纵向和横向上延伸,并且将所述堆叠层结构划分成多个存储块区域,其中,所述至少一个源极结构包括沿所述纵向方向延伸到所述衬底的至少一个支撑结构,所述至少一个支撑结构与至少一个相邻的存储块区域接触。

百度查询: 长江存储科技有限责任公司 具有位于缝隙结构中的支撑结构的三维存储器件和用于形成其的方法

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