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一种MPCVD腔体结构及MPCVD设备专利

发布时间:2020-08-24 15:53:16 来源:龙图腾网 导航: 龙图腾网> 最新专利技术> 一种MPCVD腔体结构及MPCVD设备

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申请/专利权人:长沙新材料产业研究院有限公司

申请日:2017-12-27

公开(公告)日:2020-08-07

公开(公告)号:CN108149223B

专利技术分类:..向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法[2006.01]

专利摘要:本发明涉及一种MPCVD腔体结构及MPCVD设备,包括中空的本体,所述本体上设有进气管,本体内壁上设有多个与进气管连通的进气口,所述多个进气口至少分为一层,同一层的各进气口均匀分布于本体内壁的同一高度处;所述本体上设有与本体内腔连通的出气管。本发明的腔体结构中气体经过进气管,多个进气口,均匀进入腔体,可保证腔体内部气体的均匀性;同时,进气口大小不同,可保证每个进气口的气流量基本相同,保障进气的均匀性;本发明设备设计紧凑,结构合理,便于操作,等离子体稳定且分布均匀,适于制备大面积、均匀的MPCVD沉积产品。

专利权项:1.一种MPCVD腔体结构,包括中空的本体(1),其特征在于,所述本体(1)上设有进气管(3),本体(1)内壁上设有多个与进气管(3)连通的进气口(6),所述本体(1)上设有与本体(1)内腔连通的出气管(17);所述进气管(3)的数量为多个,各进气管(3)沿本体周向均匀分布;所述多个进气口(6)分为所处高度位置不同的多层,单层进气口(6)中进气口的数量为多个且位于同一高度位置,单层进气口(6)中各进气口均匀分布于本体(1)内壁;所述进气口的气流入设方向斜向下射入本体内腔,所述进气口的气流入射方向与竖直方向的夹角为50-70°;本体侧壁(15)内设有环状气路(14),所述环状气路(14)分别与进气口(6)和进气管(3)连通;位置越接近进气管(3)的进气口的横截面积越小;本体侧壁(15)上开设有抽气孔(13),所述抽气孔(13)与抽真空设备的进气口连通;所述抽真空设备通过管道与抽气孔(13)连通;所述抽气孔(13)的直径小于3mm,抽气孔(13)的数量为多个;本体侧壁(15)内部设有冷却腔(18),本体侧壁(15)上设有与冷却腔(18)连通的进水口(2)和出水口(7),所述进水口(2)设置于本体侧壁底部,所述出水口(7)设置于本体侧壁上部;所述环状气路(14)位于冷却腔(18)内侧。

百度查询: 长沙新材料产业研究院有限公司 一种MPCVD腔体结构及MPCVD设备

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