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申请/专利权人：中科晶源微电子技术(北京)有限公司
申请日：2020-06-03
公开（公告）日：2020-08-11
公开（公告）号：CN111522210A
专利技术分类：
专利摘要：本公开实施例提出了一种套刻对准标记，一种套刻误差测量方法和一种套刻对准方法，该套刻对准标记形成于待测的晶片上，且包括第一图案和第二图案，所述第一图案位于所述晶片的第一层中且包括：在第一方向上相对设置且分别沿与所述第一方向垂直的第二方向延伸的两个第一实体子图案；所述第二图案位于所述晶片的所述第一层上方的第二层中且包括：在所述第一方向上相对设置的两个第一镂空子图案；和在所述第二方向上相对设置的两个第二镂空子图案；每个第一实体子图案的沿第二方向延伸的对置的两侧边从相应第一镂空子图案至少部分地暴露。
专利权项：1.一种套刻对准标记，所述套刻对准标记形成于待测的晶片上，且包括：第一图案，位于所述晶片的第一层中且包括：在第一方向上相对设置且分别沿与所述第一方向垂直的第二方向延伸的两个第一实体子图案；和第二图案，位于所述晶片的所述第一层上方的第二层中且包括：在所述第一方向上相对设置的两个第一镂空子图案；和在所述第二方向上相对设置的两个第二镂空子图案，其中，每个第一实体子图案的沿第二方向延伸的对置的两侧边从相应第一镂空子图案至少部分地暴露。
百度查询： 中科晶源微电子技术(北京)有限公司 套刻对准标记、套刻误差测量方法和套刻对准方法
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