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申请/专利权人：苏州大学
申请日：2020-06-19
公开（公告）日：2020-12-04
公开（公告）号：CN212085022U
专利技术分类：....包括AIVBIV的异质结，例如Si/Ge,SiGe/Si或Si/SiC太阳能电池[2012.01]
专利摘要：本实用新型揭示了一种异质结电池及异质结电池组件，所述异质结电池包括：硅片；非晶硅层，包括位于第一区域上的第一本征非晶硅层和第一p型非晶硅层、位于第二区域上的第二本征非晶硅层和第一n型非晶硅层、位于第三区域上的第三本征非晶硅层和第二n型非晶硅层、及位于第四区域上的第四本征非晶硅层和第二p型非晶硅层；透明导电层；电极。本实用新型中的异质结电池两侧均设有第一电极和第二电极，互联时可实现两个电极的交替排列；焊带焊接于电池同侧，可减少组件中电池间距，增加组件的有效发电面积，从而提高组件的输出功率；焊带无需上下绕行，减小了焊带长度，进而减小了焊带上的焦耳损耗。
专利权项：1.一种异质结电池，其特征在于，所述异质结电池包括：硅片，所述硅片包括相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面包括若干第一区域和第二区域，所述第二表面包括若干第三区域和第四区域，所述第一区域和第三区域相对设置，第二区域和第四区域相对设置；非晶硅层，包括位于第一区域上的第一本征非晶硅层和第一p型非晶硅层、位于第二区域上的第二本征非晶硅层和第一n型非晶硅层、位于第三区域上的第三本征非晶硅层和第二n型非晶硅层、及位于第四区域上的第四本征非晶硅层和第二p型非晶硅层；透明导电层，包括位于第一p型非晶硅层上的第一透明导电层、位于第一n型非晶硅层上的第二透明导电层、位于第二n型非晶硅层上的第三透明导电层、及位于第二p型非晶硅层上的第四透明导电层；电极，位于透明导电层上，包括位于第一透明导电层和第四透明导电层上的第一电极及位于第二透明导电层和第三透明导电层上的第二电极。
百度查询： 苏州大学 异质结电池及异质结电池组件
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