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申请/专利权人：无锡同方微电子有限公司
申请日：2017-04-25
公开（公告）日：2017-11-17
公开（公告）号：CN206650083U
专利技术分类：.....由绝缘栅产生场效应的[2006.01]
专利摘要：本实用新型提供一种超结MOSFET单结终端结构，包括N+型衬底及形成于所述N+型衬底上的N‑型外延层；N‑型外延层包括元胞区和包围所述元胞区的终端区；元胞区中形成有至少一个晶体管单元，晶体管单元包括形成于所述N‑型外延层中的一对元胞区P柱；所述一对元胞区P柱顶端分别连接有一P型体区；P型体区顶部形成有N+型体接触区；在元胞区范围内，N‑型外延层表面形成有栅极结构，所述栅极结构位于一对元胞区P柱之间，与一对元胞区P柱上方的N+型体接触区分别接触；终端区中的N‑型外延层中形成有至少一个终端区P柱；与终端区相邻的P型体区向终端区延伸出P‑型体区，P‑型体区一直延伸到终端区的末端。该结果有利于提高终端耐压。
专利权项：一种超结MOSFET单结终端结构，包括N+型衬底1及形成于所述N+型衬底1上的N‑型外延层2；其特征在于，所述N‑型外延层2包括元胞区I和包围所述元胞区I的终端区II；所述元胞区I中形成有至少一个晶体管单元，所述晶体管单元包括形成于所述N‑型外延层2中的一对元胞区P柱203；所述一对元胞区P柱203顶端分别连接有一P型体区206；P型体区206顶部形成有N+型体接触区209；P型体区206和N+型体接触区209都位于N‑型外延层2内；与终端区非相邻的P型体区206顶部间隔设有两块N+型体接触区209；与终端区相邻的P型体区206顶部在背离终端区一侧设有一块N+型体接触区209；在元胞区I范围内，N‑型外延层2表面形成有栅极结构，所述栅极结构位于一对元胞区P柱203之间，与一对元胞区P柱203上方的N+型体接触区209分别接触；所述终端区II中的N‑型外延层2中形成有至少一个终端区P柱204；终端区的N‑型外延层2表面形成有氧化绝缘层210；与终端区相邻的P型体区206向终端区延伸出P‑型体区205，P‑型体区205一直延伸到终端区II的末端。
百度查询： 无锡同方微电子有限公司 超结MOSFET单结终端结构
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