龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：上海韦尔半导体股份有限公司
申请日：2023-09-14
公开（公告）日：2024-05-24
公开（公告）号：CN221008957U
专利技术分类：.....由绝缘栅产生场效应的[2006.01]
专利摘要：本申请提供了一种MOSFET版图及MOSFET，包括：栅极区、源极区和漏极区，所述源极区设置在漏极区和栅极区的中间位置；所述漏极区包括第一金属层和多个间隔设置的沟槽；所述第一金属层设置在所述沟槽区的上方用于引出漏极；所述栅极区上方设置有第二金属区，所述源极区上方设置有第三金属区，所述栅极区通过第二金属区引出栅极，所述源极区通过第三金属区引出源极。本申请通过在漏极区引入沟槽，沟槽底部穿过整个外延层，到达衬底，进而可以减小导通电阻。
专利权项：1.一种MOSFET版图，其特征在于，包括：栅极区、源极区和漏极区，所述源极区设置在漏极区和栅极区的中间位置；所述漏极区包括第一金属层和多个间隔设置的沟槽；所述第一金属层设置在所述沟槽区的上方用于引出漏极；所述栅极区上方设置有第二金属区，所述源极区上方设置有第三金属区，所述栅极区通过第二金属区引出栅极，所述源极区通过第三金属区引出源极。
百度查询： 上海韦尔半导体股份有限公司 一种MOSFET版图及MOSFET
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号