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申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日：2015-09-22
公开（公告）日：2016-02-03
公开（公告）号：CN105304516A
专利技术分类：.在制造或处理过程中的测试或测量[2006.01]
专利摘要：本发明公开了一种PN结染结方法，包含：第1步，对待分析的样品表面形成保护后对沟槽横断面方向进行研磨两端保护环，得到只剩余与源区沟槽平行的保护环的样品；第2步，对研磨好的样品全方位通过保护层保护好保护环，并对没有保护的区域表面以及背面使用镀金机镀金；第3步，对研磨好的样品全方位保护好保护环，并对没有保护的区域断面进行正面以及反面使用镀金机镀金；第4步，去除保护层后，在氢氟酸、硝酸、醋酸的混合液内常温染结后SEM分析。本发明通过对超级结源区进行镀金而对保护环进行阻挡，增强保护环区的P型和N型的导电性差异，提高染结效果。
专利权项：一种PN结染结方法，其特征在于，包含如下步骤：第1步，对待分析的样品表面形成阻挡保护层后，对源区沟槽的横断面进行研磨，研磨沿沟槽方向进行，研磨两端的与源区沟槽垂直的保护环，得到只剩下与源区沟槽平行的保护环的样品；第2步，对研磨好的样品的保护环区域全方位形成阻挡保护层，并对没有保护的区域表面以及背面使用镀金机镀金；第3步，对研磨好的样品的保护环区域全方位形成阻挡保护层，并对没有保护的区域断面进行正面以及反面使用镀金机镀金；第4步，去除保护层后，在氢氟酸、硝酸、醋酸的混合液内常温染结后SEM分析。
百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 PN结染结方法
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