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申请/专利权人：西安龙腾新能源科技发展有限公司
申请日：2012-09-29
公开（公告）日：2013-02-13
公开（公告）号：CN102931218A
专利技术分类：..按其形状区分的；按各半导体区域的形状、相对尺寸或配置区分的[2006.01]
专利摘要：本发明涉及一种超结器件的结终端结构。本发明的结终端结构的结终端区设置若干个不均匀掺杂P柱，P柱的补偿注入掩膜板上设置有不连续的阻挡图形；若干个不均匀掺杂P柱通过对均匀掺杂P柱的不均匀杂质补偿注入来实现，在深槽刻蚀及外延填充或多次外延多次离子注入方式形成均匀掺杂P柱后，从版图设计上进行相应调整P柱的磷离子补偿注入的有效注入面积；不连续的阻挡图形通过调整磷离子补偿注入区域的阻挡图形的大小与数目，决定了P柱的补偿注入的有效注入面积。本发明可以有效地改善结终端器件的击穿电压特性，并且具有较短的结终端长度，使得器件的总体器件面积得到缩小，在相同的芯片面积上进一步减小了器件导通电阻。
专利权项：一种超结器件的结终端结构，其特征在于：所述的结终端结构的结终端区设置若干个不均匀掺杂P柱，P柱的补偿注入掩膜板上设置有不连续的阻挡图形；若干个不均匀掺杂P柱通过对均匀掺杂P柱的不均匀杂质补偿注入来实现，在深槽刻蚀及外延填充或多次外延多次离子注入方式形成均匀掺杂P柱后，从版图设计上进行相应调整P柱的磷离子补偿注入的有效注入面积，从而实现了不同P柱的杂质补偿注入总量的不同，不均匀掺杂P柱的纵向掺杂不均匀分布是通过随着磷离子注入能量的减小而磷离子注入剂量增大的多次离子注入来实现，通过调整P柱补偿磷离子注入的有效注入面积、磷离子注入能量及磷离子注入剂量，并借助栅氧化过程的高温热过程形成若干个不均匀掺杂P柱，使达到击穿电压时P柱区完全耗尽；不连续的阻挡图形通过调整磷离子补偿注入区域的阻挡图形的大小与数目，决定了P柱的补偿注入的有效注入面积，从而控制了各个P柱用于杂质补偿注入的磷离子的总剂量。
百度查询： 西安龙腾新能源科技发展有限公司 超结器件的结终端结构
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