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申请/专利权人：三星电子株式会社

申请日：2020-07-01

公开（公告）日：2021-01-05

公开（公告）号：CN112185850A

专利技术分类：.专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置[2006.01]

专利摘要：在晶圆到晶圆接合方法中，第一晶圆被真空吸附在下平台的第一表面上，并且第二晶圆被真空吸附在上平台的第二表面上。通过下推动杆将压力施加到第一晶圆的中间部分，并且通过上推动杆将压力施加到第二晶圆的中间部分。第一晶圆和第二晶圆的接合径向向外传播。检测第一晶圆和第二晶圆的接合传播位置。下推动杆的突出长度和上推动杆的突出长度的比率根据接合传播位置而改变。

专利权项：1.一种晶圆接合设备，包括：真空泵；下平台，其具有第一表面并且包括所述第一表面中的多个第一吸附孔，其中，所述下平台被配置为基于真空压力从所述真空泵被供应到所述多个第一吸附孔来将第一晶圆真空吸附在所述第一表面上；上平台，其具有第二表面并且包括所述第二表面中的多个第二吸附孔，其中，所述上平台被配置为基于真空压力从所述真空泵被供应到所述多个第二吸附孔来将第二晶圆真空吸附在所述第二表面上；下推动杆，其能够移动穿过所述下平台的中间部分中的第一中心孔，以接触所述第一晶圆的与所述第一中心孔重叠的中间区域并向所述第一晶圆的所述中间区域施加压力；上推动杆，其能够移动穿过所述上平台的中间部分中的第二中心孔，以接触所述第二晶圆的与所述第二中心孔重叠的中间区域并向所述第二晶圆的所述中间区域施加压力；位置检测传感器，其被配置为基于通过所述下平台和所述上平台中的至少一个平台中的检测孔检测所述第一晶圆和所述第二晶圆中的至少一个，来生成指示所述第一晶圆和所述第二晶圆的接合传播位置的晶圆位置信息；平台驱动器，其被配置为使所述下平台和所述上平台相对于彼此移动；推动杆驱动器，其被配置为在竖直方向上移动所述下推动杆和所述上推动杆；其中，所述真空泵被配置为将真空压力选择性地供应至所述多个第一吸附孔和所述多个第二吸附孔两者；以及处理电路，其被配置为对所述平台驱动器、所述推动杆驱动器和所述真空泵的操作进行控制，所述处理电路还被配置为对所述晶圆位置信息进行处理以检测所述接合传播位置，所述处理电路还被配置为根据所述接合传播位置来改变以下项中的至少一项：所述下推动杆的突出长度与所述上推动杆的突出长度的比率，和所述上平台的吸附面积与所述下平台的吸附面积的比率。

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