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申请/专利权人：中国科学院力学研究所
摘要：本发明提供一种应用于钕铁硼的低锰含量非晶铝锰涂层的HIPIMS制备方法，制备铝锰‑稀土以作为复合靶材；先对钕铁硼磁材进行研磨清洗和真空离子轰击清洗；磁材温度降低至120～150℃，调整真空室内氩气流量至工作真空度0.3～0.8Pa，开启脉冲电源且与靶材基距为60～100mm，负偏压为50‑150V，峰值功率密度为500～800Wcm2，然后开始脉冲磁控溅射镀膜，控制磁材温度不超过200℃，持续镀膜30‑60min后停止；待磁材冷却后，对真空室充气，取出镀膜后的磁材，完成镀膜过程。本发明通过调整靶基距、偏压、基片温度和功率等参数得到了最适合于制备非晶铝锰涂层的磁控溅射工艺参数，降低了形成铝锰非晶结构所需要的锰含量。
主权项：1.一种应用于钕铁硼的非晶铝锰涂层的HIPIMS制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤100，制备用于沉积非晶AlMn涂层的铝锰-稀土复合靶材料；步骤200，对钕铁硼磁材进行研磨清洗处理，然后放入真空室中进行真空离子轰击清洗；步骤300，当磁材完成清洗后且温度降低至120～150℃，调整真空室内氩气流量至工作真空度0.3-0.8Pa，开启脉冲电源且靶基距为60-100mm，磁材的负偏压为50-150V，脉冲电源峰值功率密度为500-800Wcm2，然后开始脉冲磁控溅射镀膜，控制磁材温度不超过200℃，持续镀膜30-60min后停止；步骤400，待磁材冷却后，对真空室充气，然后打开真空室取出镀膜后的磁材，完成镀膜过程。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院力学研究所 一种应用于钕铁硼的非晶铝锰涂层的HIPIMS制备方法
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