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申请/专利权人：中国恩菲工程技术有限公司
申请日：2021-04-26
公开（公告）日：2021-12-21
公开（公告）号：CN215256185U
专利技术分类：
专利摘要：本实用新型的公开了一种深竖井，包括井筒，井筒包括位于表土层内的表土层段、位于浅部基岩层内的浅部基岩层段、位于深部基岩层内的深部基岩层段和位于高应力倾向性地层内的高应力倾向性地层段；表土层支护，表土层支护构造在表土层段内；浅部基岩层支护，浅部基岩层支护构造在浅部基岩层段内，深部基岩层支护构造在深部基岩层段内；高应力倾向性地层支护，高应力倾向性地层支护构造在高应力倾向性地层段内。因此，根据本实用新型实施例的深竖井具有经济、高效和安全的优点。
专利权项：1.一种深竖井，其特征在于，包括：井筒，所述井筒包括位于表土层内的表土层段、位于浅部基岩层内的浅部基岩层段、位于深部基岩层内的深部基岩层段和位于高应力倾向性地层内的高应力倾向性地层段，所述浅部基岩层段位于所述表土层段的下方，所述深部基岩层段位于所述浅部基岩层段的下方，所述高应力倾向性地层段位于所述深部基岩层段的下方；表土层支护，所述表土层支护构造在所述表土层段内；浅部基岩层支护，所述浅部基岩层支护构造在所述浅部基岩层段内，所述浅部基岩层支护位于所述表土层支护的下方；深部基岩层支护，所述深部基岩层支护构造在所述深部基岩层段内，所述深部基岩层支护位于所述浅部基岩层支护的下方；高应力倾向性地层支护，所述高应力倾向性地层支护构造在所述高应力倾向性地层段内，所述高应力倾向性地层支护位于所述深部基岩层支护的下方；和应力传感器，所述应力传感器设在所述表土层支护、所述浅部基岩层支护、所述深部基岩层支护和所述高应力倾向性地层支护上。
百度查询： 中国恩菲工程技术有限公司 深竖井
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