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申请/专利权人：朗姆研究公司
申请日：2020-08-10
公开（公告）日：2022-04-01
公开（公告）号：CN114269963A
专利技术分类：.待镀材料的预处理（C23C16/04优先）[2006.01]
专利摘要：本文描述了用钨填充特征的方法和相关装置。本文所述的方法涉及在沉积主体层之前沉积钨成核层。所述方法涉及多个原子层沉积ALD循环。根据多种实施方案，含硼还原剂和硅还原剂都可以在单个循环期间是脉冲的，以与含钨前体反应并形成钨膜。
专利权项：1.一种方法，其包括：在室中提供包括特征的衬底；通过执行原子层沉积ALD处理的一个或多个循环在所述特征中沉积钨成核层，其中每个循环包括：使一种或多种含硼还原剂配料在所述室中流动，使一种或多种含硅还原剂配料在所述室中流动，其中所述一种或多种含硼还原剂配料和所述一种或多种含硅还原剂配料是连续的反应物配料，以及在使所述一种或多种含硼还原剂配料和所述一种或多种含硅还原剂配料在所述室中流动之后，使一种或多种含钨前体脉冲在所述室中流动。
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