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申请/专利权人：JX金属株式会社
申请日：2018-01-26
公开（公告）日：2019-09-13
公开（公告）号：CN110234790A
专利技术分类：..溅射[2006.01]
专利摘要：本申请提供一种可得到在整个靶寿命中波动小的成膜速度的钨溅射靶。在钨溅射靶中，通过利用电子背散射衍射法的反极投影对垂直于溅射面的剖面进行分析，{100}、{110}以及{111}面取向的晶粒的面积比例对于任一个取向面均为30％以下，{100}、{110}以及{111}面以外的面取向的晶粒的总面积比例为46％以上。
专利权项：1.一种钨溅射靶，其特征在于，通过利用电子背散射衍射法的反极投影对垂直于溅射面的剖面进行分析而得到的、相对于溅射面为{100}、{110}以及{111}面取向的晶粒的面积比例对于任一个取向面均为30％以下，相对于溅射面为{100}、{110}以及{111}面以外的面取向的晶粒的总面积比例为46％以上。
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