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申请/专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
摘要：本发明公开一种祁术下胚轴直接再生与体外生根的方法，涉及植物生物技术领域，本发明包括以下步骤：1外植体的预处理；2不定芽的诱导与继代增殖培养；3不定芽的伸长培养；4伸长芽的体外生根处理；5伸长芽的定植与成苗培养。本发明的有益效果在于：本发明所涉及的繁育过程具有再生效率高，操作简单，成苗时间短，成苗率高等优势，为后期祁术种苗的规模化繁育和品种改良奠定了基础。
主权项：1.一种祁术下胚轴直接再生与体外生根的方法，其特征在于：包括以下步骤：1外植体的预处理：以祁术萌发种子实生苗的下胚轴为外植体，于超声仪中进行预处理后，切成适宜大小的切段，吸干表面水分，备用；预处理步骤为将下胚轴置于装有无菌水的离心管中于超声仪中于600W超声处理30-120s，然后于无菌操作台中切成0.3cm的切段，备用；2不定芽的诱导与继代增殖培养：将步骤1中预处理的下胚轴切段接种于不定芽诱导培养基中，于温室中进行不定芽的诱导光照培养；光照培养后转接于继代增殖培养基中进行继代增殖培养；所述不定芽诱导培养基和继代增殖培养基均为：DKW+5.0mgLKT+0.1mgLIAA+5mgLVC+3.0％wv蔗糖+0.7％wv琼脂，pH＝5.8；3不定芽的伸长培养：继代培养后，将步骤2中的不定芽从不定芽丛上分离后直接转接于伸长培养基中于温室中进行芽的光照伸长培养；所述不定芽的伸长培养基为：12DKW+0.5mgLZT+2.5mgLVC+3.0％wv蔗糖+0.7％wv琼脂，pH＝5.8；4伸长芽的体外生根处理：将步骤3中伸长的组培芽取出，然后将伸长芽基部置于含有500-2000mgL3-吲哚丁酸钾和500-1000μM褪黑素的生根促进液中进行不定根的诱导处理10s；5伸长芽的定植与成苗管理：将步骤4中处理后的伸长芽基部定植于装有营养基质的塑料育苗盘中，盖上育苗盖，于温室中进行不定根的诱导与成苗培养；成苗培养期间每隔2周，叶片喷施一次营养补液；所述步骤3中所述的伸长培养的温室条件为温度为23±2℃，LED光质及配比为红蓝复合光3：1，光照强度为50μmol·m-2·s-1，光照时间为16h，相对湿度为50-60％。
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