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申请/专利权人：新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
申请日：2021-09-13
公开（公告）日：2022-05-13
公开（公告）号：CN114497209A
专利技术分类：.....带有二维载流子气沟道的，如HEMT[2006.01]
专利摘要：本发明涉及晶体管和制造晶体管的方法，晶体管可以包括缓冲层、缓冲层上的源极和漏极接触件、缓冲层上的阻挡层、阻挡层上的导电构件、介电堆叠和栅极金属。阻挡层可以在源极接触件和漏极接触件之间。导电构件可以包括p掺杂的III‑V族化合物。介电堆叠可以在阻挡层上和在导电构件上。介电堆叠可以包括第一介电层和在第一介电层上的第二介电层。第一和第二沟槽可以分别穿过介电堆叠延伸到导电构件和第一介电层。栅极金属可以在介电堆叠上，并且可以通过第一沟槽接触导电构件并且可以通过第二沟槽接触第一介电层。
专利权项：1.一种晶体管，包括：缓冲层；源极接触件和漏极接触件，位在该缓冲层上，阻挡层，位在该缓冲层上，其中，该阻挡层配置在该源极接触件和该漏极接触件之间；导电构件，位在该阻挡层上，其中，该导电构件包括p掺杂的III-V族化合物；介电堆叠，位在该阻挡层上和该导电构件上，其中，该介电堆叠包括第一介电层和在该第一介电层上的第二介电层，第一沟槽和第二沟槽，该第一沟槽穿过该介电堆叠延伸至该导电构件，该第二沟槽穿过该介电堆叠延伸至该第一介电层；以及栅极金属，位在该介电堆叠上，其中，该栅极金属通过该第一沟槽接触该导电构件，并且其中，该栅极金属通过该第二沟槽接触该第一介电层。
百度查询： 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司 晶体管和制造晶体管的方法
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