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申请/专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所

摘要：本发明公开了一种注入合成后连续LEC与VGF结合制备化合物半导体晶体的系统，包括机架、设置在机架上的密封炉室、籽晶杆和合成注入系统，密封炉室包括主炉体、位于主炉体内的合成坩埚、上炉体、位于上炉体内的VGF坩埚以及设置在VGF坩埚底部的吸液管，所述吸液管的下端部位于合成坩埚的底部上方；所述合成注入系统位于所述主炉体内，所述籽晶杆中的籽晶位于所述VGF坩埚内。本发明的有益效果是：上部为VGF生长部，下部为合成部；通过倒吸的方式进入VGF生长部，同时VGF生长部配置籽晶杆和观察系统，还能气体控制。实施在开始LEC高温度梯度引晶体和放肩，然后利用已经长大的晶体进行低温度梯度下的VGF晶体生长，实现较高成品率下制备高品质低缺陷晶体。

主权项：1.一种注入合成后连续LEC与VGF结合制备化合物半导体晶体的装置，包括机架、设置在机架上的密封炉室、籽晶杆（9）和合成注入系统（16），其特征在于：所述密封炉室包括主炉体（1）、位于所述主炉体（1）内的合成坩埚（17）、位于主炉体（1）上方的上炉体（2）、位于所述上炉体（2）内的VGF坩埚（29）以及设置在所述VGF坩埚（29）底部的吸液管（29-1），所述吸液管（29-1）的下端部位于合成坩埚（17）的底部上方；所述合成注入系统（16）位于所述主炉体（1）内，所述籽晶杆（9）中的籽晶（44）位于所述VGF坩埚（29）内；所述机架包括基座（3）、主立柱（4）、上炉体支撑台（5）和主炉体支撑台（6），在主立柱（4）上设有带动上炉盖（2-1）升降和旋转运动的上炉体驱动装置（4-1）、第一辅助杆（4-2）、带动主炉体（1）进行升降和旋转运动的主炉体驱动装置（4-3）和第二辅助杆（4-4），主炉体（1）通过第二辅助杆（4-4）与主炉体驱动装置（4-3）相连，上炉体（2）中的上炉盖（2-1）通过第一辅助杆（4-2）与上炉体驱动装置（4-1）相连；所述VGF坩埚（29）借助转接卡具（11）设置于上炉体（2）内，转接卡具（11）借助紧固螺钉（49）固定在上炉体（2）中上炉盖（2-1）的内侧并且在转接卡具（11）和上炉盖（2-1）的接触面间设有第一密封圈（11-2）；转接卡具（11）的上部连接向上穿过上炉盖（2-1）以用于调整VGF坩埚（29）中压力的平衡气管（11-1），在所述上炉盖（2-1）上还装配有与平衡气管（11-1）连接的压差管（52），在所述压差管（52）上安装有用于测量VGF坩埚（29）内与主炉体（1）内的压力差的压差计（51）；在转接卡具（11）上设置有卡环（11-4）和冷却柱（11-11），卡环（11-4）和冷却柱（11-11）间的环形间隙形成坩埚卡槽（11-10），VGF坩埚（29）的顶部置于坩埚卡槽（11-10）中，在所述坩埚卡槽（11-10）中设有第二密封圈（11-3）；所述合成注入系统（16）包括注入合成加热器（16-1）、装载器（16-2）和注入合成管（16-3）。

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